1，怎么修改内存时序
首先你得学会BIOS设置，这方面的教程网上非常多，请自行百度学习。
2，DDR2 533667内存时序怎样才是最好的
赛扬347前端总线只有533，所以667内存会自动降频到533工作，即使拔掉533的，速度也不会快的。相反内存容量变小了，整体平台性能还会下降的。
3，1600内存时序一般怎么调
在基本输出输入里面的内存选项选择正常，不要选自动，然后在后面的选项里面就会出现时序选项。
4，超频内存时序怎么改
如果你是超时序就往低了设，先看看主板默认的保守设置，然后每项减1测试下，再逐项递减测试。 如果你是超频率就先保守设置不要动，上到你想要的频率以后再看看能不能减时序，不行就只好算了。
你把内存设置成533，时序改为5-5-5-15 2t，CPU倍频降为10，超了试试。单条1G上2.8g应该没问题。 补充： 667的内存超频的时候保守点把时序设置为4-4-4-12；电压先暂时不加；PCI先锁定100，如果不行则从96一个个的试，一直加到105为止，总有一个是合适的；至于内存时钟比，不记得你那款默认的是1：几了，总之一个个的试，估计在显示的1：3（实际为2：3）或者1：2.5（实际为4：5）左右稳定。 追问： 在哪调时序和时钟比？PCI是什么？我只在选项里看见过0：0：0的选项。这是什么？本人新手。请赐教。 回答： 这个问题的话 我也问过我们这边的技术人员了这个得慢慢调 有个内存时序 还有个主板时序 主频你得慢慢调 没办法一次搞定的 追问： 内存时序在哪调？在BIOS里的名称是什么。内存的频率高了性能会提高吗？ 回答： 嗯 这个是肯定的 追问： 我刚又把内存的频率降低了，这样超频会有效果吗？
5，怎样在BIOS中设置内存条的CL时序
不用设置时序也可以吧，要看你的CPU和主板支持不支持800的内存了，但是你从667到800基本没意义，而且也要主板BIOS支持那个功能才行的。要是主板支持的话，你不用买800的内存也能调上去，一般内存从667超频到800还是很容易的。仔细找到内存和总线的同步就能找到了。超CPU一般内存的时序就上去了，用CPU-Z这个软件能看到内存时序。
不用设置时序也可以吧，要看你的cpu和主板支持不支持800的内存了，但是你从667到800基本没意义，而且也要主板bios支持那个功能才行的。要是主板支持的话，你不用买800的内存也能调上去，一般内存从667超频到800还是很容易的。 仔细找到内存和总线的同步就能找到了。超cpu一般内存的时序就上去了，用cpu-z这个软件能看到内存时序。
FSB与内存频率的关系 首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率 实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系 强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置 内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： CPC : Command Per Clock tCL : CAS Latency Control tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timing tRP : Row Precharge Timing tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time ……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。tCL : CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。tRCD : RAS to CAS Delay 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示”行寻址到列寻址延迟时间”，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
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